[发明专利]陶瓷结构体、基板保持装置用部件及陶瓷结构体的制法有效
| 申请号： | 201580037418.2 | 申请日： | 2015-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN106796910B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 胜田祐司;西村升 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C04B35/10;C04B35/50 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 陶瓷结构体10为在圆盘状的陶瓷基体12的内部内置有电极14的陶瓷结构体。陶瓷基体12是主成分为氧化铝或稀土金属氧化物的烧结体，热膨胀系数在40～1200℃下为7.5～9.5ppm/K。电极14的主成分为金属钌。电极14可以形成为片状，也可以按一笔画的要领以在整个面上扩展的方式形成图案。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 结构 保持 装置 部件 制法 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷结构体，其是在陶瓷基体的表面或内部具备电极的陶瓷结构体，所述陶瓷基体是主成分为氧化铝或稀土金属氧化物的烧结体，其中，所述陶瓷基体的热膨胀系数在40～1200℃下为7.5～9.5ppm/K，所述电极的主成分为金属钌，所述电极除包含金属钌以外，还包含钛及铌中的至少一者，或者还包含钌铝合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
