[发明专利]图像传感器的单位像素及其受光元件有效
申请号: | 201580037458.7 | 申请日: | 2015-07-01 |
公开(公告)号: | CN106663689B | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 金勋 | 申请(专利权)人: | 金勋 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京华旭智信知识产权代理事务所(普通合伙) 11583 | 代理人: | 冯云 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | 本发明公开一种灵敏度可调的受光元件及使用该受光元件的图像传感器的单位像素。所述受光元件包括:吸收光的受光部;通过氧化膜与所述受光部分离的源极和漏极;形成于所述源极与漏极之间并在所述源极与漏极之间产生电流流动的通道;及向所述受光部施加电压的灵敏度调整终端,所述受光部被掺杂第1类杂质,所述源极和漏极被掺杂第2类杂质,通过由入射到所述受光部的光而激发的电子隧穿到所述源极或漏极而产生的所述受光部的电荷量变化来控制所述通道中的电流流动,并且控制通过所述灵敏度调整终端所施加的电压,以调整所述通道的阈值电压。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 单位 像素 及其 元件 | ||
【主权项】:
1.一种灵敏度调整受光元件,其特征在于,包括:吸收光的受光部;通过氧化膜与所述受光部分离的源极和漏极;形成于所述源极与漏极之间并在所述源极与漏极之间产生电流流动的通道;及向所述受光部施加电压的灵敏度调整终端,所述受光部被掺杂第1类杂质,所述源极和漏极被掺杂第2类杂质,通过由入射到所述受光部的光激发的电子隧穿到所述源极或漏极而产生的所述受光部的电荷量变化来控制所述通道的电流流动,并且控制通过所述灵敏度调整终端所施加的电压,以调整所述通道的阈值电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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