[发明专利]像素电路、半导体光检测装置和辐射计数装置有效

专利信息
申请号: 201580039336.1 申请日: 2015-06-16
公开(公告)号: CN106576147B 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 西原利幸 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;G01T1/20;H01L27/144;H01L27/146;H04N5/32
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 曹正建;陈桂香
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明能够增大图像传感器的每个像素的尺寸。在像素电路中,光电转换单元将光转换成电荷,且电荷累积单元在光接收表面上的以下的多边形区域中累积电荷,该多边形区域的多个侧边与光电转换单元相邻。电压产生单元累积电荷并产生与累积的电荷的量相对应的电压。第一传输单元当至所述电荷累积单元的传输被指示时将电荷从光电转换单元传输至电荷累积单元。第二传输单元当至电压产生单元的传输被指示时将电荷从电荷累积单元传输至电压产生单元。
搜索关键词: 像素 电路 半导体 检测 装置 辐射 计数
【主权项】:
一种像素电路,其包括:光电转换单元,其被构造成将光转换成电荷;电荷累积单元,其被构造成在光接收表面上的以下的多边形区域中累积所述电荷,该多边形区域的多个侧边与所述光电转换单元相邻;电压产生单元,其被构造成累积电荷,并产生与累积的所述电荷的量相对应的电压;第一传输单元,其被构造成当至所述电荷累积单元的传输被指示时将所述电荷从所述光电转换单元传输至所述电荷累积单元;以及第二传输单元,其被构造成当至所述电压产生单元的传输被指示时将所述电荷从所述电荷累积单元传输至所述电压产生单元。
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