[发明专利]柔性衬底材料和制造电子薄膜器件的方法有效
申请号: | 201580039705.7 | 申请日: | 2015-07-23 |
公开(公告)号: | CN106663703B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 尤根·弗雷德里克·温克尔;迈克尔·尼格曼 | 申请(专利权)人: | 埃特19有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L51/00;H01L51/44 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张瑞;郑霞 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种柔性衬底材料,其具有对置的正面和背面并且在X‑Y平面中延伸,正面被设置有第一电极层且还被设置有至少一个薄膜,以形成至少一个薄膜器件堆叠,其在垂直于X‑Y平面的Z方向上从X‑Y平面延伸到距离T;衬底材料具有被应用于在衬底材料的面、第一电极层和至少一个薄膜中的至少一者的至少一个保护性结构;至少一个保护性结构从X‑Y平面在Z方向上延伸到距离S,距离S大于距离T。 | ||
搜索关键词: | 柔性 衬底 材料 制造 电子 薄膜 器件 方法 | ||
【主权项】:
一种柔性衬底材料,其具有对置的正面和背面并且在X‑Y平面中延伸,所述正面被设置有第一电极层和还设置有至少一个薄膜,以形成至少一个薄膜器件堆叠;所述薄膜器件堆叠在垂直于所述X‑Y平面的Z方向上从所述X‑Y平面延伸到距离T;所述衬底材料具有被应用于在所述衬底材料的面、所述第一电极层和所述至少一个薄膜中的至少一者的至少一个保护性结构;所述至少一个保护性结构从所述X‑Y平面在所述Z方向上延伸到距离S,所述距离S大于所述距离T。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于埃特19有限公司,未经埃特19有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580039705.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的