[发明专利]紫外发光器件的光子提取有效
| 申请号： | 201580039877.4 | 申请日： | 2015-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN106796977B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 北村健;户板真人;石井宏典;王玉亭;L·J·斯高沃特;陈贱峰;J·R·格兰达斯基 | 申请（专利权）人： | 晶体公司 |
| 主分类号： | H01L33/52 | 分类号： | H01L33/52 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在各个实施例中，有机密封剂层被提供在紫外(UV)发光半导体芯片的表面上方，密封剂的至少一部分被暴露于UV光以将密封剂的所述部分中的至少一些转化成非化学计量比二氧化硅材料。所述非化学计量比二氧化硅材料包括硅、氧和碳，所述非化学计量比二氧化硅材料的碳含量大于1ppm且小于40原子百分比。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 发光 器件 光子 提取 | ||
【主权项】：
1.一种组装和老化照明器件的方法，所述方法包括：在紫外(UV)发光半导体芯片的表面上提供一层有机密封剂；以及将所述密封剂的至少一部分暴露于UV光以将所述密封剂的所述部分中的至少一些转化为非化学计量比二氧化硅材料，其中，所述非化学计量比二氧化硅材料包括硅、氧和碳，所述非化学计量比二氧化硅材料的碳含量大于1ppm且小于40原子百分比。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶体公司，未经晶体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580039877.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于固态照明中的下转换的多层转换材料
- 下一篇：安装基板
