[发明专利]外延晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201580041319.1 | 申请日： | 2015-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106574397B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 西口太郎;玄番润;伊东洋典;畑山智亮;土井秀之 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C23C16/32;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种外延晶片(100)，包括具有第一主表面(101)的碳化硅膜(120)。凹槽部(20)形成在第一主表面(101)中。凹槽部(20)沿第一主表面(101)在一个方向上延伸。而且，凹槽部(20)在该一个方向上的宽度是凹槽部(20)在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。而且，凹槽部(20)距第一主表面(101)的最大深度不大于10nm。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种外延晶片，包括具有第一主表面的碳化硅膜，在所述第一主表面中形成有凹槽部，所述凹槽部沿所述第一主表面在一个方向上延伸，所述凹槽部在所述一个方向上的宽度是所述凹槽部在垂直于所述一个方向的方向上的宽度的两倍或更大，所述凹槽部距所述第一主表面的最大深度不大于10nm，其中所述凹槽部包括第一凹槽部以及连接至所述第一凹槽部的第二凹槽部，所述第一凹槽部在所述一个方向上形成在所述凹槽部的一个端部中，以及所述第二凹槽部在所述一个方向上从所述第一凹槽部延伸至与所述一个端部相反的另一个端部，所述第二凹槽部距所述第一主表面的深度小于所述第一凹槽部的最大深度，所述第一凹槽部在横截面中具有三角形形状，并且所述第二凹槽部包括与所述第一主表面基本上平行的底表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580041319.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
