[发明专利]用于电容式压力传感器的悬置膜有效
申请号: | 201580041645.2 | 申请日: | 2015-07-24 |
公开(公告)号: | CN106794981B | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 威廉·弗雷德里克·阿德里亚努斯·贝斯林;雷莫科·亨里卡斯·威廉默斯·皮嫩伯格;卡斯珀·万德尔阿武特;马滕·奥尔德森;马丁·古森斯 | 申请(专利权)人: | ams国际有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李春晖;陈炜 |
地址: | 瑞士拉*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | 一种用于形成悬置膜的方法的实施方式包括在牺牲层上方和边界沟槽内沉积第一导电材料。第一导电材料在边界沟槽上方形成角过渡部。该方法还包括去除第一导电材料的一部分,所述去除将第一导电材料的不平坦形貌的至少一部分去除。该方法还包括沉积第二导电材料。第二导电材料延伸到边界沟槽之外。该方法还包括通过蚀刻开口去除牺牲层并且在第二导电材料下方形成腔。第一导电材料限定腔的侧壁边界的一部分。 | ||
搜索关键词: | 用于 电容 压力传感器 悬置 | ||
【主权项】:
1.一种用于形成悬置膜的方法,所述方法包括下述步骤:在牺牲层上方和边界沟槽内沉积第一导电材料的步骤,其中,所述第一导电材料在所述边界沟槽上方形成角过渡部;去除所述第一导电材料的一部分的步骤,其中,所述去除的步骤将所述第一导电材料的不平坦形貌的至少一部分去除;沉积第二导电材料的步骤,所述第二导电材料延伸到所述边界沟槽之外;通过蚀刻开口去除所述牺牲层并且在所述第二导电材料下方形成腔的步骤,其中,所述第一导电材料限定所述腔的侧壁边界的一部分;其中,所述悬置膜形成为集成电路顶部上的电容式压力传感器的一部分,并且其中所述方法还包括:在所述悬置膜下方形成底电极;在所述底电极上方形成隔离层,其中隔离层包括氮化硅;在沉积所述第二导电材料之前沉积第一粘合层,其中所述第一粘合层包括钛或氮化钛中的一个,并且其中所述第二导电材料包括钨;在所述第二导电材料上方沉积第二粘合层,其中所述第二粘合层包括钛或氮化钛中的一个;以及形成密封层以密封所述蚀刻开口,其中,所述密封层包括氮化硅或氧化硅。
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