[发明专利]氧化铝基板有效
| 申请号： | 201580042829.0 | 申请日： | 2015-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN106661761B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 山泽和人;大井户敦;川崎克己 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B19/12;C30B25/18;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;伍飏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及氧化铝基板。本发明的目的在于提供一种在将AlN结晶等制作于氧化铝基板上时能够制作出更高质量的结晶的氧化铝基板。本发明的另外一个目的在于提供一种AlN层的翘曲被减小的氧化铝基板。本发明的再有一个目的在于提供一种基板材料，在作为种基板进行使用的情况下，当被过度施加由不可避免发生的晶格不匹配引起的应力时，能够促进自然剥离主导的基板独立化。通过将AlN层形成于氧化铝基板的表面上并且将稀土含有层以及/或者稀土含有区域形成于AlN层的内部或者AlN层与所述氧化铝基板的界面上从而缓和对AlN层的应力，能够减小翘曲。另外，如果使用这样的基板来培养AlN结晶则能够通过自然剥离令培养了的结晶独立化。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铝 | ||
【主权项】：
1.一种氧化铝基板，其特征在于：在所述氧化铝基板表面上形成有AlN层，并且在AlN层与所述氧化铝基板的界面上形成有稀土含有层以及/或者稀土含有区域，稀土元素的含量以Al元素比计为1～10000ppm。
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