[发明专利]电子保护开关在审
| 申请号： | 201580044207.1 | 申请日： | 2015-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN107078731A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 迭戈·费尔南多·阿桑萨马尔多纳多 | 申请（专利权）人： | 埃伦贝格尔及珀恩斯根有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/082 | 分类号： | H03K17/082 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 杨靖,车文 |
| 地址： | 德国阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电子保护开关(1)，该电子保护开关具有半导体开关(2)，其漏极联接端(D)和其源极联接端(S)接在电压输入端(5)与负载输出端(6)之间，并且其栅极联接端(G)与控制装置(9)连接，在输入侧将代表负载电流(L、Ids)的信号(SI)输送给该控制装置，其中，控制装置(9)获知漏极‑源极电压(Vds)并且基于该漏极‑源极电压以及基于检测到的负载电流(IL、Ids)产生导向半导体开关(2)的栅极联接端(G)上的控制信号(SG)，借助于该控制信号将半导体开关(2)的功率(PFET)调整为小于或者等于最大功率值(Pmax)。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 保护 开关 | ||
【主权项】：
电子保护开关(1)，所述电子保护开关具有半导体开关(2)，所述半导体开关的漏极联接端(D)和所述半导体开关的源极联接端(S)接在电压输入端(5)与负载输出端(6)之间，并且所述半导体开关的栅极联接端(G)与控制装置(8)连接，在输入侧将代表负载电流(IL、Ids)的信号(SI)输送给所述控制装置，其特征在于，所述控制装置(8)获知漏极‑源极电压(Vds)，并且基于所述漏极‑源极电压以及基于检测到的负载电流(IL、Ids)，所述控制装置使将所述半导体开关(2)的功率(PFET)调整为小于或者等于最大功率值(Pmax)的控制信号(SG)导向所述半导体开关(2)的栅极联接端(G)。
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