[发明专利]半导体晶圆的加工方法

摘要

本发明为一种半导体晶圆的加工方法，对具有表面及背面且于周缘端部具有由表面侧、背面侧的倒角面及边缘面所构成的倒角部的半导体晶圆的与表面侧、背面侧的倒角面、边缘面及表面或背面的倒角面为相邻的最外周部的各部位进行镜面研磨，其中于表面侧倒角面镜面研磨的步骤及背侧面倒角面镜面研磨的步骤后，于同一步骤中进行边缘面及表面或背面的最外周部的镜面研磨，借由以同一步骤进行边缘面及最外周部的镜面研磨，调整表面或背面的最外周部的边缘下降量。借此不使半导体晶圆的内侧形状比最外周部更崩坏，能有良好精确度地于最外周部形成期望的凹陷形状，且不使加工后半导体晶圆的边缘面形状锐利化。

主权项

1.一种半导体晶圆的加工方法，用于一半导体晶圆，该半导体晶圆具有一表面及一背面，且于周缘端部具有由表面侧的倒角面、背面侧的倒角面以及边缘面所构成的一倒角部，该加工方法对该半导体晶圆的与该表面侧的倒角面、该背面侧的倒角面、该边缘面以及表面或背面的该倒角面为相邻的最外周部的各部位进行镜面研磨，其中于对该表面侧的倒角面进行镜面研磨的步骤以及对该背面侧的倒角面进行镜面研磨的步骤之后，于同一步骤中进行该边缘面的镜面研磨以及该表面或背面的最外周部的镜面研磨，以同一步骤所进行的边缘面以及最外周部的镜面研磨利用一研磨装置，该研磨装置于包围该半导体晶圆的周围的位置配置有各别一片以上的研磨片A与研磨片B，该研磨片A用于进行该边缘面的镜面研磨，该研磨片B用于进行该表面或背面的最外周部的镜面研磨，借由使该半导体晶圆相对于该研磨片A及该研磨片B相对旋转而进行该镜面研磨，借由该以同一步骤所进行的边缘面以及最外周部的镜面研磨，调整该表面或背面的最外周部的边缘下降量。