[发明专利]碳化硅半导体器件和用于制造碳化硅半导体器件的方法

摘要

一种碳化硅外延层(120)，包括：第一杂质区(61)，其具有第一导电类型；第二杂质区(62)，其被设置为与所述第一杂质区(61)接触并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；以及第三杂质区(63)，其和所述第一杂质区(61)由所述第二杂质区(62)分开并且具有所述第一导电类型。栅极绝缘膜(57)与所述第一杂质区(61)、所述第二杂质区(62)和所述第三杂质区(63)接触。沟槽部(20)形成在所述第一杂质区(61)的表面(161)中，所述表面(161)与所述栅极绝缘膜(57)接触，所述沟槽部(20)在沿所述表面(161)的方向上延伸，所述沟槽部(20)在所述一个方向上的宽度为所述沟槽部(20)在垂直于所述一个方向的方向上的宽度的两倍或者两倍以上，所述沟槽部(20)距所述表面(161)的最大深度不超过10nm。

主权项

一种碳化硅半导体器件，包括：碳化硅外延层，所述碳化硅外延层包括第一杂质区、第二杂质区和第三杂质区，所述第一杂质区具有第一导电类型，所述第二杂质区被设置为与所述第一杂质区接触，所述第二杂质区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，所述第三杂质区与所述第一杂质区被所述第二杂质区分开，所述第三杂质区具有所述第一导电类型；以及栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜与所述第一杂质区、所述第二杂质区和所述第三杂质区接触，在所述第一杂质区的表面中形成有沟槽部，所述表面与所述栅极绝缘膜接触，所述沟槽部在沿所述表面的一个方向上延伸，所述沟槽部在所述一个方向上的宽度为所述沟槽部在垂直于所述一个方向的方向上的宽度的两倍或者更大，所述沟槽部距所述表面的最大深度不超过10nm。