[发明专利]半导体元件和晶体层叠结构体有效
| 申请号： | 201580046341.5 | 申请日： | 2015-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN107078063B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木公平;后藤健;东胁正高;黄文海;绞缬明伯;熊谷义直;村上尚 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;国立研究开发法人情报通信研究机构;国立大学法人东京农工大学 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;张艳凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供能抑制沟道层的高电阻化的半导体元件和能用于该元件制造的晶体层叠结构体。作为一实施方式，提供一种Ga |
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| 搜索关键词： | 半导体 元件 晶体 层叠 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，具有：包括包含受主杂质的β‑Ga2O3系单晶的高电阻基板；上述高电阻基板上的包括β‑Ga2O3系单晶的缓冲层；以及上述缓冲层上的包括包含施主杂质的β‑Ga2O3系单晶的沟道层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
