[发明专利]用于太阳能电池制造的蚀刻工艺

摘要

本发明提供了一种制造太阳能电池的方法，所述方法可包括在硅基板上方形成第一掺杂剂区，以及在所述第一掺杂剂区上方形成氧化物区。在一个实施例中，所述氧化物区可保护所述第一掺杂剂区免于经历第一蚀刻工艺。在一个实施例中，可在所述硅基板上方形成第二掺杂剂区，其中可形成掩模以保护所述第二掺杂剂区的第一部分免于经历所述第一蚀刻工艺。在一个实施例中，可执行所述第一蚀刻工艺以暴露所述硅基板和/或硅区的多个部分。可执行第二蚀刻工艺来形成沟槽区，以将所述太阳能电池的第一掺杂区和第二掺杂区隔离开。可执行第三蚀刻工艺以从所述太阳能电池移除污染物，以及移除所述氧化物区的任何剩余部分。

主权项

1.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：在硅基板上方形成第一掺杂剂区；在所述第一掺杂剂区上方形成氧化物区，其中所述氧化物区保护所述第一掺杂剂区免于经历第一蚀刻工艺；在所述硅基板上方形成第二掺杂剂区；在所述第二掺杂剂区的第一部分上方形成掩模，其中所述掩模保护所述第二掺杂剂区的所述第一部分免于经历所述第一蚀刻工艺；以及执行所述第一蚀刻工艺以暴露所述硅基板的多个部分，其中在所述硅基板上方形成所述第二掺杂剂区包括在所述第一掺杂剂区、所述氧化物区和所述硅基板上方形成所述第二掺杂剂区。