[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置有效
| 申请号： | 201580046732.7 | 申请日： | 2015-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN106796893B | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 森弘就 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/301;H01L23/12;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;吕秀平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法包括：准备工序，准备主面形成有电路的半导体晶片；贴附工序，将半导体晶片贴附于粘接层；第一分割工序，通过沿切割区域对贴附于粘接层的状态的半导体晶片进行分割，而获得多个半导体芯片；密封工序，在将多个半导体芯片的主面贴附于粘接层的状态下，将多个半导体芯片一起密封，由此在半导体芯片的侧面之间的间隙和半导体芯片的背面上形成包含半导体密封树脂组合物的密封材料层；和第二分割工序，通过对形成在半导体芯片的侧面之间的间隙的密封材料层进行分割，而获得在侧面和背面形成有密封材料层的多个上述半导体芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：准备工序，准备主面形成有电路的半导体晶片；贴附工序，将所述半导体晶片贴附于粘接层；第一分割工序，通过沿切割区域对贴附于所述粘接层的状态的所述半导体晶片进行分割，而获得多个半导体芯片；密封工序，在多个所述半导体芯片的所述主面贴附于所述粘接层的状态下，将多个所述半导体芯片一起密封，由此在所述半导体芯片的侧面之间的间隙和与形成有所述电路的所述主面相反的一侧的所述半导体芯片的背面上形成包含热固性树脂组合物的固化体的密封材料层，所述热固性树脂组合物含有在1分子内具有2个以上环氧基的环氧树脂；和第二分割工序，通过对形成在所述半导体芯片的所述侧面之间的间隙的所述密封材料层进行分割，而获得在所述侧面和所述背面形成有所述密封材料层的多个所述半导体芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电木株式会社，未经住友电木株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580046732.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
