[发明专利]层叠结构体及其制造方法、半导体装置、以及晶体膜有效
| 申请号： | 201580047084.7 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN106796891B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 织田真也;高塚章夫;人罗俊实 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L21/365 | 分类号： | H01L21/365;H01L21/20;H01L21/28;H01L21/329;H01L21/336;H01L21/337;H01L21/338;H01L29/12;H01L29/24;H01L29/47;H01L29/739;H01L29/778;H01L29/78;H |
| 代理公司： | 深圳瑞天谨诚知识产权代理有限公司 44340 | 代理人： | 温青玲 |
| 地址： | 日本京都府京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供结晶性优异的层叠结构体和迁移率良好的上述层叠结构体的半导体装置。该层叠结构体的特征在于，是直接或介由其他层将含有具有刚玉结构的结晶性氧化物作为主要成分的晶体膜在具有刚玉结构的晶体基板上层叠而成的，上述晶体基板具有0.2°～12.0°的偏离角，上述结晶性氧化物包含选自铟、铝、以及镓中的一种或两种以上的金属。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 结构 及其 制造 方法 半导体 装置 以及 晶体 | ||
【主权项】：
一种层叠结构体，其特征在于，是直接或介由其他层将含有具有刚玉结构的结晶性氧化物作为主要成分的晶体膜在具有刚玉结构的晶体基板上层叠而成的，所述晶体基板具有0.2°～12.0°的偏离角，所述结晶性氧化物包含选自铟、铝、以及镓中的一种或两种以上的金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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