[发明专利]SOI晶圆的制造方法有效
| 申请号： | 201580047351.0 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN106663597B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 阿贺浩司;桑原登 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种SOI晶圆的制造方法具有将形成有SOI层的SOI晶圆的SOI膜厚度予以调整的薄膜化处理步骤。该SOI晶圆的制造方法包含：(A1)测定步骤，将形成有SOI层的SOI晶圆在薄膜化处理前的SOI膜厚度予以测定；(A2)旋转步骤，基于借由在(A1)步骤的膜厚度测定所得到的SOI膜厚度的平面内分布以及预先求出的在薄膜化处理的平面内加工量分布，而决定出在进行薄膜化处理时的SOI晶圆的旋转位置，使SOI晶圆绕中心轴旋转而达到旋转位置；以及(A3)薄膜化步骤，将经(A2)步骤中所旋转的SOI晶圆的SOI层予以薄膜化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 上硅晶圆 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SOI晶圆的制造方法，具有将形成有SOI层的SOI晶圆的SOI膜厚度予以调整的薄膜化处理，该SOI晶圆的制造方法包含：(A1)测定步骤，将形成有该SOI层的SOI晶圆在该薄膜化处理前的SOI膜厚度予以测定；(A2)旋转步骤，基于借由在该(A1)步骤的膜厚度测定所得到的SOI膜厚度的平面内分布以及预先求出的在该薄膜化处理的平面内加工量分布，而决定出在进行该薄膜化处理时的该SOI晶圆的旋转位置，使该SOI晶圆绕中心轴旋转而达到该旋转位置；以及(A3)薄膜化步骤，将经该(A2)步骤中所旋转的SOI晶圆的SOI层予以薄膜化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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