[发明专利]多频带低噪声放大器有效
| 申请号： | 201580047408.7 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106797202B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 林赛华 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/22 | 分类号： | H03F1/22;H03F1/32;H03F3/193;H03F3/24;H03F3/68 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种设备包括被调谐至第一频带的第一路径和被调谐至第二频带的第二路径。设备也包括交叉耦合电路，具有耦合至第一路径的第一输入端和耦合至第二路径的第二输入端，以及具有耦合至第二路径的第一输出端和耦合至第一路径的第二输出端。 | ||
| 搜索关键词： | 频带 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
1.一种电子设备，包括：/n第一路径，被调谐至第一频带；/n第二路径，被调谐至第二频带；以及/n交叉耦合电路装置，具有耦合至所述第一路径的第一输入端以及耦合至所述第二路径的第二输入端，并且具有耦合至所述第二路径的第一输出端以及耦合至所述第一路径的第二输出端，其中，所述交叉耦合电路装置包括：/n第一组晶体管，所述第一组晶体管中的第一晶体管具有耦合至所述第一路径的栅极并且所述第一组晶体管中的第二晶体管具有耦合至所述第二路径的漏极；以及/n第二组晶体管，所述第二组晶体管中的第一晶体管具有耦合至所述第二路径的栅极并且所述第二组晶体管中的第二晶体管具有耦合至所述第一路径的漏极。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580047408.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
