[发明专利]溅射装置在审
| 申请号： | 201580047418.0 | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106715749A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 山本弘辉;难波隆宏;神井正敦;小梁慎二;近藤智保;森本直树 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司11015 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够以良好的薄膜厚度分布均匀性形成结晶性进一步提高的绝缘材料膜的溅射装置。本发明的溅射装置(SM)具有在设置了绝缘材料靶(4)的真空室(1)内保持待处理基板(W)与该绝缘材料靶相对的台架(2)，设置有旋转驱动台架的驱动装置(3)，向绝缘材料靶施加高频电力的溅射电源(E1)，以及向真空室内导入稀有气体的气体导入装置(13，14)，在该溅射装置(SM)中，基板与绝缘材料靶的溅射面之间的间隔(d3)设置在40mm～150mm的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 | ||
【主权项】：
一种溅射装置，包括在设置了绝缘材料靶的真空室内保持待处理基板与该绝缘材料靶相对的台架，设置有旋转驱动台架的驱动装置，向绝缘材料靶施加高频电力的溅射电源，以及向真空室内导入稀有气体的气体导入装置，其特征在于：在该溅射装置中，基板与绝缘材料靶的溅射面之间的间隔设置在40mm～150mm的范围内。
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