[发明专利]负型图案形成方法、保护膜形成用组合物及电子元件制法有效

专利信息
申请号: 201580047686.2 申请日: 2015-09-15
公开(公告)号: CN106605174B 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 井上尚纪;丹呉直纮;山本庆;白川三千纮;后藤研由 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: G03F7/11 分类号: G03F7/11;C08F20/10;G03F7/038;G03F7/039;G03F7/32;H01L21/027
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 彭雪瑞;臧建明
地址: 日本东京港区*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种负型图案形成方法、保护膜形成用组合物及电子元件制法,所述图案形成方法能够形成焦点深度及曝光宽容度优异且线边缘粗糙度得到抑制的图案。本发明的图案形成方法包括:将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上而形成感光化射线性或感放射线性膜的步骤;将保护膜形成用组合物涂布于所述感光化射线性或感放射线性膜上而形成保护膜的步骤;对由保护膜被覆的感光化射线性或感放射线性膜进行曝光的步骤;以及利用包含有机溶剂的显影液,对经曝光的感光化射线性或感放射线性膜进行显影的步骤;保护膜含有:包含至少一个选自由醚键、硫醚键、羟基、硫醇基、羰基键及酯键所组成的组群中的基团或键的化合物(A),以及树脂(X)。
搜索关键词: 图案 形成 方法 保护膜 组合 电子元件 制法
【主权项】:
一种图案形成方法,其包括:(a)将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上而形成感光化射线性或感放射线性膜的步骤;(b)将保护膜形成用组合物涂布于所述感光化射线性或感放射线性膜上而形成保护膜的步骤;(c)对由所述保护膜被覆的所述感光化射线性或感放射线性膜进行曝光的步骤;以及(d)利用包含有机溶剂的显影液,对经曝光的所述感光化射线性或感放射线性膜进行显影的步骤;并且所述保护膜含有:包含至少一个选自由醚键、硫醚键、羟基、硫醇基、羰基键及酯键所组成的组群中的基团或键的化合物(A),以及树脂(X);其中,化合物(A)不为链式酰胺、环式酰胺、芳香族胺、链式脂肪族胺及环式脂肪族胺的任一个。
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