[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

摘要

相对于等离子体保护腔室的内部的构件，防止变质和消耗。等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序以及去除工序。在成膜工序中，利用含硅气体和还原性气体这两者的等离子体，在腔室的内部的构件的表面形成含硅膜。在等离子体处理工序中，在含硅膜形成于构件的表面之后，利用处理气体的等离子体对输入到腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在去除工序中，在等离子体处理后的被处理体输出到腔室的外部之后，利用含氟气体的等离子体从构件的表面去除含硅膜。

主权项

一种等离子体处理方法，其特征在于，该等离子体处理方法包括：成膜工序，在该成膜工序中，利用含硅气体和还原性气体这两者的等离子体在腔室的内部的构件的表面形成含硅膜；等离子体处理工序，在该等离子体处理工序中，在所述含硅膜形成于所述构件的表面之后，利用处理气体的等离子体对输入到所述腔室的内部的被处理体进行等离子体处理；去除工序，在该去除工序中，在等离子体处理后的所述被处理体输出到所述腔室的外部之后，利用含氟气体的等离子体从所述构件的表面去除所述含硅膜。