[发明专利]氮化物半导体模板的制造方法有效
| 申请号： | 201580049211.7 | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN107078033B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 藤仓序章 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/34;C30B25/18;C30B29/38;H01L21/203;H01L33/12;H01L33/22;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明具有如下工序：在表面呈格子状配置圆锥状或角锥状的凸部而形成的蓝宝石基板上，使缓冲层生长到比所述凸部的顶端宽度厚、并且11nm以上且400nm以下的厚度而形成的工序；和在所述缓冲层上使氮化物半导体层生长而形成的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 模板 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体模板的制造方法，其特征在于，具有：在表面呈格子状配置圆锥状或角锥状的凸部而形成的蓝宝石基板上，使缓冲层生长到比所述凸部的顶端宽度厚、并且11nm以上且400nm以下的厚度而形成的工序；和在所述缓冲层上使氮化物半导体层生长而形成的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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