[发明专利]投射镜头、投射曝光设备和EUV微光刻的投射曝光方法有效

专利信息
申请号: 201580049768.0 申请日: 2015-09-07
公开(公告)号: CN107077074B 公开(公告)日: 2020-04-10
发明(设计)人: S.安德烈;D.戈尔德;T.格鲁纳;J.劳夫;N.瓦布拉;R.舍梅;S.施耐德 申请(专利权)人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种投射镜头(PO),用于通过具有来自极紫外范围(EUV)的操作波长λ的电磁辐射将设置于投射镜头的物平面(OS)中的图案成像至投射镜头的像平面(IS)上,投射镜头包含多个反射镜(M1‑M6),其具有设置于该物平面与该像平面之间的投射射束路径中的反射镜表面,使得设置于物平面中的掩模(M)的图案可通过所述反射镜成像至像平面中。在平行于扫描方向行进的第一方向(y方向)上的第一成像比例的绝对值小于在垂直于该第一方向的第二方向(x方向)上的第二成像比例的绝对值。提供一种动态波前操纵系统,用于校正由掩模母版位移所造成的像散波前像差部分。
搜索关键词: 投射 镜头 曝光 设备 euv 微光 方法
【主权项】:
一种投射镜头(PO),用于通过具有来自极紫外范围(EUV)的操作波长λ的电磁辐射将设置于所述投射镜头的物平面(OS)中的图案成像至所述投射镜头的像平面(IS)中,所述投射镜头包含:多个反射镜(M1‑M6),其具有设置于所述物平面与所述像平面之间的投射射束路径中的反射镜表面,使得设置于所述物平面中的掩模(M)的图案通过所述反射镜可成像至所述像平面中,其中在平行于扫描方向行进的第一方向上的第一成像比例的绝对值小于在垂直于该第一方向的第二方向上的第二成像比例的绝对值,其特征在于校正由掩模母版位移所造成的像散波前像差部分的动态波前操纵系统。
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