[发明专利]注入调制器有效
| 申请号： | 201580049944.0 | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN106716239B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡·梅斯特;奥斯·阿尔-萨阿迪;塞巴斯蒂安·库皮贾伊;克里斯多佛·泰斯;李翰尧;拉尔斯·齐默尔曼;大卫·斯托拉雷克 | 申请（专利权）人： | 柏林工业大学;斯科雅有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/225 | 分类号： | G02F1/225;G02F1/025;H04B10/54;H01S5/026;H04B10/548 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人： | 汤慧华,郑霞 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明尤其涉及一种用于调制光辐射(P)的注入调制器(10)，所述注入调制器包括光波导(20)和二极管结构(30)，所述二极管结构具有至少两个p掺杂半导体部分(110)、至少两个n掺杂半导体部分(210)以及在所述p掺杂半导体部分与所述n掺杂半导体部分(110，210)之间的至少一个轻掺杂或未掺杂中间部分(300)。所述p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的纵向方向(L)上观察时——相对于所述n掺杂半导体部分(210)而偏移，并且所述二极管结构(30)被安排在所述波导(20)的无谐振部分中，其中——不考虑波导衰减——在所述波导(20)中引导的所述辐射(P)的辐射强度恒定。根据本发明，所述p掺杂半导体部分(110)位于所述波导(20)的一侧上——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上并且相对于波导中心而观察时，所述n掺杂半导体部分(210)位于所述波导(20)的另一侧上，并且所述中间部分(300)位于所述波导中心的区域中，每个半导体部分(110，210)在所述波导(20)的所述波导中心的方向上相对于所述波导纵向方向(L)横向地延伸，并且p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上观察时——不与任何n掺杂半导体部分(210)重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 调制器 | ||
【主权项】：
一种用于调制光辐射(P)的注入调制器(10)，所述注入调制器包括：‑光波导(20)，以及‑二极管结构(30)，所述二极管结构包括至少两个p掺杂半导体部分(110)、至少两个n掺杂半导体部分(210)以及在所述p掺杂半导体部分与所述n掺杂半导体部分(110，210)之间的至少一个弱掺杂或未掺杂的中间部分(300)，其中，‑所述p掺杂半导体部分(110)在所述波导(20)的纵向方向(L)上相对于所述n掺杂半导体部分(210)而偏移安排，并且‑所述二极管结构(30)被安排在所述波导(20)的无谐振部分中，其中——不考虑波导衰减——在所述波导(20)中引导的所述辐射(P)的辐射强度是恒定的，其特征在于，‑所述p掺杂半导体部分(110)在所述波导(20)的纵向方向(L)上并且相对于波导中心位于所述波导(20)的一侧上，所述n掺杂半导体部分(210)位于所述波导(20)的另一侧上，并且所述中间部分(300)位于所述波导中心的区域中，‑所述p掺杂半导体部分与所述n掺杂半导体部分(110，210)在每种情况下都在所述波导(20)的所述波导中心的方向上相对于波导纵向方向(L)横向地延伸，并且‑所述p掺杂半导体部分(110)在所述波导(20)的纵向方向(L)上、在每种情况下都不与所述n掺杂半导体部分(210)重叠。
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