[发明专利]一种基于虚拟阴极沉积（VCD）的薄膜制造工艺有效
| 申请号： | 201580050192.X | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107231818B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 德米特里·亚莫利奇 | 申请（专利权）人： | 等离子体应用有限公司 |
| 主分类号： | H01J3/02 | 分类号： | H01J3/02;H01J37/32;H01J37/34;C23C14/32 |
| 代理公司： | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 裴金华 |
| 地址： | 英国牛津哈维尔卢*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种虚拟阴极沉积装置，利用虚拟等离子体阴极产生高密度电子束以消融固体靶材。高压电脉冲电离气体产生的等离子体短时间出现在靶材前方，作为靶材附近的虚拟等离子体阴极。然后这种等离子体消失，允许被消融的靶材以等离子体羽流的形式流向衬底。多个虚拟阴极同时提供羽流以汇合成一个均匀的等离子体羽流，该等离子体羽流在附近的衬底上冷凝以导致大范围的均匀厚度薄膜的沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 虚拟 阴极 沉积 vcd 薄膜 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜沉积装置，其特征在于：包括，一空心阴极、 一衬底托架和一靶材托架，所述衬底托架和所述靶材托架相对设置在所述空心阴极两侧，一等离子体供应元件，用于在所述空心阴极靠近所述靶材托架的端部向所述空心阴极内部提供等离子体，和一动力单元，与所述空心阴极连接，用于给所述空心阴极提供一高压脉冲，当所述等离子体供应元件向所述空心阴极提供等离子体且所述空心阴极受到高压脉冲时，形成一虚拟等离子体阴极，所述虚拟等离子体阴极形成一电子束，所述电子束朝向所述靶材托架上的靶材，其中被消融的靶材羽流通过空心阴极。
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