[发明专利]图像传感器有效
申请号: | 201580050442.X | 申请日: | 2015-09-10 |
公开(公告)号: | CN107078142B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | G·P·麦克尼格特;J·J·瓦乔;J·A·格雷茨 | 申请(专利权)人: | 微软技术许可有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 美国华*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在一些实施例中,用于制造具有弯曲表面的图像传感器芯片的技术和架构包括在图像传感器芯片的第一表面上放置衬底,其中图像传感器芯片的第一表面与图像传感器芯片的第二表面相对,以及其中图像传感器芯片的第二表面包括光传感器以响应于接收光而产生电信号。制造也包括修改衬底的体积以便对图像传感器芯片施加力以产生弯曲的图像传感器芯片。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种方法,包括:在图像传感器芯片的第一表面上放置衬底,其中所述图像传感器芯片的第一表面与所述图像传感器芯片的第二表面相对,以及其中所述图像传感器芯片的第二表面包括光传感器以响应于接收光而产生电信号;以及修改所述衬底的体积以便对所述图像传感器芯片施加力以产生弯曲的图像传感器芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的