[发明专利]半导体发光组件在审
申请号: | 201580050792.6 | 申请日: | 2015-09-10 |
公开(公告)号: | CN107078189A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 酒井健滋;池田淳 | 申请(专利权)人: | 信越半导体株式会社 |
主分类号: | H01L33/30 | 分类号: | H01L33/30 |
代理公司: | 北京京万通知识产权代理有限公司11440 | 代理人: | 许天易 |
地址: | 日本东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体发光组件,具有由阱层与障壁层所构成的量子阱活性层,其中该半导体发光组件的发光波长为585nm以上及605nm以下;该阱层由化学式(AlxGal‑x)yIn1‑yP(0<x≦0.06、0<y<1)的化合物半导体所构成;以及该障壁层由化学式(AlmGal‑m)nIn1‑nP(0≦m≦1、0<n<1)的化合物半导体所构成。通过使用此量子阱构造的活性层,能于短波长区域(黄色发光)得到高发光效率。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 组件 | ||
【主权项】:
一种半导体发光组件,具有由阱层与障壁层所构成的量子阱活性层,其中该半导体发光组件的发光波长为585nm以上及605nm以下;该阱层由化学式(AlxGal‑x)yIn1‑yP的化合物半导体所构成,其中0<x≦0.06、0<y<1;以及该障壁层由化学式(AlmGal‑m)nIn1‑nP的化合物半导体所构成,其中0≦m≦1、0<n<1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越半导体株式会社,未经信越半导体株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580050792.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。