[发明专利]半导体芯片的背侧上的电子元件集成在审
| 申请号： | 201580051134.9 | 申请日： | 2015-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN107112301A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | V·拉马钱德兰;U·雷 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/60;H01L25/065;H01L27/06;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 亓云,陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 系统和方法包括带有基板的第一半导体管芯，该基板具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。第一电子元件集被集成到第一侧上。第二电子元件集被集成到第二侧上。一个或多个通过基板的穿板通孔被用于将第一电子元件集中的一者或多者与第二电子元件集中的一者或多者耦合。该多个穿板通孔可以是穿硅通孔(TSV)或穿玻通孔(TGV)。第一半导体管芯可用第二半导体管芯来堆叠，其中第一半导体管芯的第一侧或第二侧与第二半导体管芯的有源侧对接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 背侧上 电子元件 集成 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：带有基板的第一半导体管芯，所述基板包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；集成到所述第一侧上的第一电子元件集；集成到所述第二侧上的第二电子元件集；以及一个或多个通过所述基板的穿板通孔以将所述第一电子元件集中的一者或多者与所述第二电子元件集中的一者或多者耦合。
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