[发明专利]用于读取电阻式存储器的恒定感测电流有效
申请号: | 201580051341.4 | 申请日: | 2015-09-21 |
公开(公告)号: | CN107077876B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | S-O·郑;S·崔;J·金;T·那;J·P·金;S·H·康 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司;延世大学校产学协力团 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G11C7/08;G11C7/14;G11C11/16;G11C13/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 周敏;陈炜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 系统和方法涉及提供恒定感测电流以用于读取电阻式存储器元件(228)。负载电压生成器(202)基于配置成供应不随工艺‑电压‑温度变化而变化的恒定电流的电流镜(206)来提供负载电压。数据电压基于所生成的负载电压、通过使从恒定电流镜像的感测电流通过电阻式存储器元件来生成。参考电压也基于所生成的负载电压并且通过使从恒定电流镜像的参考电流通过参考单元(230、231)来生成。存储在电阻式存储器元件中的逻辑值基于数据电压与参考电压的比较来确定,其中该确定不受工艺‑电压‑温度变化的影响。 | ||
搜索关键词: | 用于 读取 电阻 存储器 恒定 电流 | ||
【主权项】:
一种读取电阻式存储器位单元的方法,所述方法包括:从供应不随工艺‑电压‑温度变化而变化的恒定电流的电流镜生成负载电压;通过向耦合至所述电阻式存储器位单元的数据负载晶体管提供所述负载电压以使得所述恒定电流被镜像为流过所述电阻式存储器位单元的感测电流来生成数据电压;以及通过向耦合至参考单元的参考负载晶体管提供所述负载电压以使得所述恒定电流被镜像为流过所述参考单元的参考电流来生成参考电压。
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