[发明专利]固态成像元件、制造方法以及电子设备有效
申请号: | 201580051705.9 | 申请日: | 2015-09-17 |
公开(公告)号: | CN107078137B | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 中敷领崇;北野良昭;西村雄二;板桥浩一;千叶亮;滝田阳介;石川充;神脇丰美;关勇一;下地诚也;大塚洋一;西孝文 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李晗;曹正建 |
地址: | 日本国神奈川*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及允许微透镜与防反射薄膜之间的界面中的成分扩散的固态成像装置、制造所述固态成像装置的方法以及电子设备。在相邻像素的所述微透镜之间形成透湿孔。所述透湿孔被防反射薄膜覆盖。所述防反射薄膜形成在所述微透镜的除了所述扩散孔之外的表面上。所述防反射薄膜的折射率高于所述微透镜的折射率。本公开可以应用于例如作为背照式固态成像装置的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 元件 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
一种固态成像装置,包括:各像素的微透镜;扩散孔,其形成在彼此相邻的所述像素的所述微透镜之间,所述扩散孔被无机薄膜覆盖;以及第一防反射薄膜,其在所述微透镜的除了所述扩散孔之外的表面上形成,所述第一防反射薄膜具有比所述微透镜高的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的