[发明专利]成膜方法、真空处理装置、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件、半导体电子元件的制造方法、半导体电子元件、照明装置

摘要

本发明提供一种能够通过溅射法制作+c极性的外延膜的成膜方法、成膜装置。本发明的一个实施方式为一种成膜方法，针对被加热器加热至规定温度的外延生长用基板通过溅射法来使具有纤锌矿型结构的半导体膜外延生长，该成膜方法具有以下的工序。首先，以上述基板与加热器分离规定距离地进行配置的方式，将上述基板配置于具有加热器的基板保持部。接着，一边调整上述基板保持部的阻抗一边在上述基板上形成具有纤锌矿型结构的半导体膜的外延膜。

主权项

一种成膜方法，使用真空处理装置通过溅射法来在基板上形成纤锌矿型结构的半导体薄膜的外延膜，其中，该真空处理装置具备：真空容器，其能够进行真空排气；基板保持部，其用于将所述基板支承在所述真空容器内；加热器，其能够将被保持在所述基板保持部的所述基板加热至任意的温度；靶电极，其设置在所述真空容器内，能够安装靶；高频电源，其经由所述靶电极向所述靶输入高频电力；电极部，其配置在被保持在所述基板保持部的所述基板的周围，形成返回路径的一部分，该返回路径是从所述高频电源输入的高频电力向接地返回的路径；以及阻抗调整部，其用于调整所述电极部的阻抗，所述成膜方法的特征在于，包括以下工序：基板输送工序，使所述基板以与所述加热器的基板对置面分离规定距离地保持的方式保持于所述基板保持部；成膜工序，在被保持在所述基板保持部的所述基板上形成纤锌矿型结构的半导体薄膜；以及阻抗调整工序，在所述成膜工序时，调整所述阻抗调整部使得所述电极部的阻抗成为规定的值。