[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

MISFET具有隔着栅极绝缘膜形成于半导体衬底上方的栅电极和以夹着栅电极的方式形成于半导体衬底内的源极区域及漏极区域。而且，在源极区域及漏极区域的表面形成第一硅化物层，在栅电极的表面形成有第二硅化物层。第一硅化物层及第二硅化物层由第一金属和硅构成，并含有与第一金属不同的第二金属。而且，第二硅化物层中的第二金属的浓度低于第一硅化物层中的第二金属的浓度。

主权项

一种半导体器件，其在半导体衬底的第一区域具有第一MISFET，其中，所述第一MISFET具有：第一栅极绝缘膜，其在所述第一区域中设于所述半导体衬底上方；第一栅电极，其设于所述第一栅极绝缘膜上方；第一杂质区域，其在所述第一区域中构成以夹着所述第一栅电极的方式设于所述半导体衬底中的第一源极区域的一部分及第一漏极区域的一部分；第一硅化物层，其形成于所述第一杂质区域上方且含有第一金属和硅；以及第二硅化物层，其形成于所述第一栅电极的上部且含有所述第一金属和硅，在所述第一硅化物层及所述第二硅化物层添加有与所述第一金属不同的第二金属，所述第二硅化物层中的所述第二金属的浓度低于所述第一硅化物层中的所述第二金属的浓度。