[发明专利]信号传送绝缘设备以及功率半导体模块

摘要

使信号传送绝缘设备具备：第1线圈；第2线圈，与第1线圈对置，与第1线圈构成变压器；第1绝缘膜，在对置的第1线圈和第2线圈之间，由第1电介质构成；第2绝缘膜，包围第1线圈，由电阻率比第1电介质低的第2电介质构成；以及第3绝缘膜，包围第2线圈，由电阻率比第1电介质低的第3电介质构成，或者使信号传送绝缘设备具备：第1线圈；第2线圈，与第1线圈对置，与第1线圈构成变压器；第1绝缘膜，在对置的第1线圈和第2线圈之间，由第1电介质构成；第2绝缘膜，包围第1线圈，由介电常数比第1电介质高的第2电介质构成；以及第3绝缘膜，包围第2线圈，由介电常数比第1电介质高的第3电介质构成。

主权项

1.一种信号传送绝缘设备，其特征在于，具备：第1线圈；第2线圈，与所述第1线圈对置，与所述第1线圈一起构成变压器；第1绝缘膜，设置于对置的所述第1线圈和所述第2线圈之间，由第1电介质构成；第2绝缘膜，包括第1膜和第2膜，该第2绝缘膜由电阻率比所述第1电介质低的第2电介质构成，所述第1膜设置于与第二主面相接的面与所述第1绝缘膜之间，且填充并覆盖所述第1线圈，所述第二主面是所述第1线圈的与和所述第2线圈对置的第一主面相反的一侧的面，所述第2膜在与所述第二主面相接的面与所述第1膜邻接地设置；以及第3绝缘膜，包括第3膜和第4膜，该第3绝缘膜由电阻率比所述第1电介质低的第3电介质构成，所述第3膜设置于与第三主面相接的面与所述第1绝缘膜之间，所述第三主面是所述第2线圈的与所述第1线圈对置的面，所述第4膜在与所述第三主面相接的面与所述第3膜邻接，且填充并覆盖所述第2线圈。