[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201580053001.5 | 申请日: | 2015-09-30 |
公开(公告)号: | CN106716605B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 林航之介;大田垣崇 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/677 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 戚宏梅;杨谦 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 实施方式涉及的基板处理装置具备:除去部(D1),将存在于凹部(30)的液滴除去;排液孔(30a),设在喷嘴头(32)的凹部(30)的底部,将作为除去对象的液滴向凹部(30)之外排出;以及控制部(8),控制气体喷出喷嘴(33)的喷出状态,使得在对被处理面的基于处理液的漂洗处理结束、且到使用了气体的干燥处理开始为止的期间,存在有从气体喷出喷嘴(33)喷出不到达基板W的被处理面的程度的流量的气体的期间。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,具有:喷嘴头,与基板的被处理面对置,具备朝向上述被处理面开口的凹部;处理液供给喷嘴,被设置于上述喷嘴头,朝向上述被处理面供给处理液;以及气体喷出喷嘴,被设置于上述喷嘴头,朝向上述被处理面喷出气体,该基板处理装置对上述被处理面进行基于上述处理液的处理、以及使用了上述气体的干燥处理,其特征在于,该基板处理装置具备:除去部,将存在于上述凹部的液滴除去;排液部,设置在上述喷嘴头的上述凹部的底部,将作为除去对象的上述液滴向上述凹部之外排出;以及控制部,控制上述气体喷出喷嘴的喷出状态,使得在对上述被处理面的基于上述处理液的漂洗处理结束、且到使用了上述气体的干燥处理开始为止的期间,存在有从上述气体喷出喷嘴喷出不到达上述基板的被处理面的程度的流量的气体的期间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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