[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201580053494.2 申请日: 2015-08-05
公开(公告)号: CN106797105B 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 上田直人;大森弘治;吉田隆幸;本藤拓磨 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024;H01L21/60;H01L23/36;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18;H01S5/042
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 柯瑞京
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 本公开所涉及的半导体装置具有:导电性的第1电极块、导电性的辅助基座、绝缘层、半导体元件、导电性的凸块和导电性的第2电极块。辅助基座被设置于第1电极块的上表面的第1区域,电连接于第1电极块。半导体元件被设置于辅助基座之上,具有电连接于辅助基座的第1电极。凸块被设置于与半导体元件的第1电极相反的一侧的第2电极的上表面,电连接于第2电极。此外,第2电极块的下表面在第3区域,经由具有导电性的金属层而电连接于凸块。此外,在金属层与凸块之间,设置具有导电性的金属片。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,具备:第1电极块,具有导电性;辅助基座,被设置于所述第1电极块的上表面的第1区域,电连接于所述第1电极块,具有导电性;绝缘层,被设置于所述第1电极块的上表面且与所述第1区域不同的第2区域;半导体元件,被设置于所述辅助基座之上,具有电连接于所述辅助基座的第1电极;凸块,被设置于所述半导体元件的与所述第1电极相反的一侧的第2电极的上表面,电连接于所述第2电极,具有导电性;和第2电极块,被设置于所述凸块以及所述绝缘层之上,具有导电性,所述第2电极块的下表面在第3区域,经由具有导电性的金属层来电连接于所述凸块,所述第2电极块的下表面在第4区域,被搭载于所述绝缘层,在所述金属层与所述凸块之间,设置具有导电性的金属片。
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