[发明专利]碳化硅外延基板在审
| 申请号： | 201580053722.6 | 申请日： | 2015-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN106715767A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 西口太郎;和田圭司;玄番润;伊东洋典;土井秀之;平塚健二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/20;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 王海川,穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 碳化硅外延基板(100)包含碳化硅单晶基板(10)；和在碳化硅单晶基板(10)上的外延层(20)。碳化硅单晶基板(10)具有100mm以上的直径。外延层(20)具有10μm以上的厚度。外延层(20)具有1×1014cm‑3以上且1×1016cm‑3以下的载流子浓度。外延层(20)的面内的载流子浓度的标准偏差对所述面内的载流子浓度的平均值的比率为10％以下。外延层(20)具有主表面(21)。主表面(21)在三维表面粗糙度测量中具有0.3nm以下的算术平均粗糙度Sa。在主表面(21)中，源于贯通螺旋位错的凹坑的面密度为1000个cm‑2以下。凹坑(2)各自具有自主表面(21)起算8nm以上的最大深度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 | ||
【主权项】：
一种碳化硅外延基板，其包含：碳化硅单晶基板、和在所述碳化硅单晶基板上的外延层；所述碳化硅单晶基板具有100mm以上的直径，所述外延层具有10μm以上的厚度，所述外延层具有1×1014cm‑3以上且1×1016cm‑3以下的载流子浓度，所述外延层的面内的所述载流子浓度的标准偏差对所述面内的所述载流子浓度的平均值的比率为10％以下，所述外延层具有主表面，所述主表面在三维表面粗糙度测量中具有0.3nm以下的算术平均粗糙度Sa，在所述主表面中，源于贯通螺旋位错的凹坑的面密度为1000个cm‑2以下，所述凹坑各自具有自所述主表面起算8nm以上的最大深度。
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