[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
| 申请号： | 201580054262.9 | 申请日： | 2015-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN106796902B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 郑光逸;李炳垂;柳柱馨 | 申请（专利权）人： | 杰宜斯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 玉昌峰;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开一种基板处理装置及基板处理方法。所公开的基板处理装置包括：放射率设定部被输入自与基板相接触的化学液或从基板与化学液相接触的交界面处放射的放射率；辐射能量输入部，被输入自化学液或交界面处放射的辐射能量；以及计算部，根据放射率与辐射能量而计算化学液或交界面的计算温度。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：放射率设定部，被输入自与基板相接触的化学液或从所述基板与所述化学液相接触的交界面处放射的放射率；辐射能量输入部，被输入自化学液或交界面处放射的辐射能量；以及计算部，根据所述放射率与所述辐射能量而计算所述化学液或所述交界面的计算温度，所述计算部使用根据下式3计算的绝对温度而计算所述计算温度，[式3]![]()
其中，C1＝2πhc2＝3.74×10‑16W/m2，![]()
E(λ,T)是输入至所述辐射能量输入部的辐射能量，λ是根据所述辐射能量输入部而预先设定的红外线波长，ε是所述化学液或所述交界面的放射率，T是绝对温度，h是普郎克常数(plank constant)，c是光速，k是波兹曼常数(Boltzmann constant)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
