[发明专利]基板液体处理方法、基板液体处理装置以及存储有基板液体处理程序的计算机可读存储介质有效
| 申请号： | 201580054445.0 | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106796876B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 中森光则;南辉臣;大石幸太郎;野中纯 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种基板液体处理方法，进行以下工序：液体处理工序，利用处理液对基板进行液体处理；冲洗处理工序，利用冲洗液对进行液体处理后的所述基板进行冲洗处理；以及疏水处理工序，利用疏水化液对进行冲洗处理后的所述基板进行疏水处理，接着，进行以下工序：置换处理工序，利用置换促进液对进行疏水处理后的所述基板进行置换处理；以及清洗处理工序，利用清洗液对进行疏水处理后的所述基板进行清洗处理，之后，进行干燥处理工序，利用挥发性比所述清洗液的挥发性高的干燥液来置换所述清洗液，并且将所述干燥液从所述基板去除。能够防止进行干燥处理时图案损坏，并且能够减少因水印产生的微粒。 | ||
| 搜索关键词： | 液体 处理 方法 装置 以及 存储 有基板 程序 计算机 可读 介质 | ||
【主权项】：
一种基板液体处理方法，其特征在于，进行以下工序：液体处理工序，利用处理液对基板进行液体处理；冲洗处理工序，利用冲洗液对进行液体处理后的所述基板进行冲洗处理；以及疏水处理工序，利用疏水化液对进行冲洗处理后的所述基板进行疏水处理，接着，进行以下工序：置换处理工序，利用置换促进液对进行疏水处理后的所述基板进行置换处理；以及清洗处理工序，利用清洗液对进行疏水处理后的所述基板进行清洗处理，之后，进行干燥处理工序，利用挥发性比所述清洗液的挥发性高的干燥液来置换所述清洗液，并且将所述干燥液从所述基板去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
