[发明专利]晶体管及形成晶体管的方法有效
| 申请号： | 201580055886.2 | 申请日： | 2015-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN106796957B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 卡迈勒·M·考尔道;古尔特杰·S·桑胡;钱德拉·穆利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一些实施例包含一种具有漏极区域及源极区域的晶体管。导电栅极位于所述源极区域与所述漏极区域之间。第一沟道材料位于所述栅极与所述源极区域之间。所述第一沟道材料是通过一或多种绝缘材料而与所述栅极隔开。第二沟道材料位于所述第一沟道材料与所述源极区域之间，且直接接触所述源极区域。所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属硫族化物。所述源极区域及所述漏极区域中的一者为空穴储集器区域，且另一者为电子储集器区域。隧道电介质材料可位于所述第一沟道材料与所述第二沟道材料之间。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，其包括：源极区域及漏极区域；所述源极区域及所述漏极区域中的一者为空穴储集器区域，且另一者为电子储集器区域；导电栅极，其位于所述源极区域与所述漏极区域之间；第一沟道材料，其位于所述栅极与所述源极区域之间；所述第一沟道材料是通过一或多种绝缘材料而与所述栅极隔开；第二沟道材料，其位于所述第一沟道材料与所述源极区域之间，且直接接触所述源极区域；且其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属硫族化物。
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