[发明专利]评估等离子体处理装备中内表面调节的系统与方法有效
申请号: | 201580055951.1 | 申请日: | 2015-09-23 |
公开(公告)号: | CN107078014B | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | S·朴;Y·朱;E·C·苏亚雷斯;N·K·英格尔;D·卢博米尔斯基;J·黄 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;C23C14/22;C23C14/56;C23C16/44;C23C16/54 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在实施例中,一种等离子体源包括:第一电极,配置成用于移送一种或更多种等离子体源气体通过所述第一电极中的第一穿孔;绝缘体,设置成绕所述第一电极的外周与所述第一电极接触;以及第二电极,设置成使所述第二电极的外周抵靠所述绝缘体,使得所述第一和第二电极以及所述绝缘体界定等离子体生成腔。所述第二电极配置成用于使来自所述等离子体生成腔的等离子体产物移动通过所述第二电极而前往工艺腔室。电源跨所述第一和第二电极提供电功率以在所述等离子体生成腔中利用所述一种或更多种等离子体源气体点燃等离子体,从而产生所述等离子体产物。所述第一电极、所述第二电极和所述绝缘体中的一者包括端口,所述端口提供来自所述等离子体的光学信号。 | ||
搜索关键词: | 评估 等离子体 处理 装备 表面 调节 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体源,包含:第一穿孔电极,包含第一平坦表面,所述第一穿孔电极配置成用于移送一种或更多种等离子体源气体通过所述第一穿孔电极中的第一穿孔;第二穿孔电极,包含第二平坦表面,所述第二穿孔电极配置成用于使等离子体产物移动通过所述第二穿孔电极而前往工艺腔室,所述第二穿孔电极保持电接地;绝缘体,具有上表面和下表面,所述上表面和所述下表面绕所述第一穿孔电极的外周和所述第二穿孔电极的外周并与所述第一平坦表面和所述第二平坦表面接触,使得所述第一穿孔电极、所述第二穿孔电极和所述绝缘体界定等离子体生成腔;以及电源,所述电源跨所述第一穿孔电极和所述第二穿孔电极提供电功率以在所述等离子体生成腔中利用所述一种或更多种等离子体源气体点燃等离子体,从而产生所述等离子体产物;其中所述绝缘体包括端口,所述端口提供来自所述等离子体的光学信号,所述光学信号用于监测所述等离子体源,所述端口包括:形成于所述绝缘体内的径向孔;光学窗,所述光学窗跨所述径向孔的外开口能密封至所述绝缘体;以及夹具,所述夹具将光纤定位成邻近所述光学窗,使得光学发射传播到所述光纤中以形成所述光学信号,所述光纤定向成所述光学信号限于在所述等离子体生成腔内所产生的光学发射。
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