[发明专利]能够湿式除去的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物

摘要

本发明的课题是提供用于形成可以作为硬掩模使用，通过使用了硫酸/过氧化氢等药液的湿蚀刻的方法能够除去的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含(A)成分和(B)成分，(A)成分包含水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷包含式(1)：R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)式(1)〔式(1)中，R1表示式(2)：所示的有机基团且通过Si‑C键与硅原子结合。R3表示烷氧基、酰氧基或卤基。a表示1的整数，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。〕所示的水解性硅烷，(B)成分为包含具有烷氧基甲基或羟基甲基的环结构的交联性化合物、或者具有环氧基或封端异氰酸酯基的交联性化合物。

主权项

一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含(A)成分和(B)成分，(A)成分包含水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷包含式(1)所示的水解性硅烷，R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)   式(1)式(1)中，R1表示式(2)所示的有机基团且通过Si‑C键与硅原子结合，式(2)中，R4表示亚烷基、环状亚烷基、亚烯基、亚芳基、硫原子、氧原子、氧基羰基、酰胺基、仲氨基、或它们的组合，R5表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基、碳原子数2～10的烯基、烷氧基烷基、硫原子、羰基、酰基、或它们的组合，R6表示碳原子数1～10的烷基，n1表示1≤n1≤5，n2表示0≤n2≤4，k1部分表示与硅原子的结合，R2表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烷氧基芳基、烯基、或者具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团、或者它们的组合且通过Si‑C键与硅原子结合，R3表示烷氧基、酰氧基或卤基，a表示1的整数，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数，(B)成分为包含具有烷氧基甲基或羟基甲基的环结构的交联性化合物、或者具有环氧基或封端异氰酸酯基的交联性化合物。