[发明专利]SiC单晶的制造方法和SiC单晶的制造装置在审
| 申请号： | 201580056466.6 | 申请日： | 2015-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107075726A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 楠一彦;龟井一人;关和明;岸田豊;森口晃治;海藤宏志;大黑宽典;土井雅喜 | 申请（专利权）人： | 新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供即使在长时间地进行晶体生长的情况下也能够减少Si－C溶液的温度偏差的、SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法包括以下工序准备工序，在该准备工序中，准备制造装置(100)，该制造装置(100)包括容纳有Si－C溶液的原料的坩埚(7)、在下端安装有晶种(9)的晶种轴(41)、以及在中央具有供晶种轴(41)穿过的通孔(60A)且能够配置于坩埚(7)内的中盖(60)；生成工序，在该生成工序中，对坩埚(7)内的原料进行加热而生成Si－C溶液(8)；生长工序，在该生长工序中，使晶种(9)与Si－C溶液(8)相接触，从而在晶种(9)上制造SiC单晶；以及中盖调整工序，在生长工序中实施该中盖调整工序，使中盖(60)和坩埚(7)中的任一者相对于另一者在高度方向上相对移动，从而将中盖(60)与Si－C溶液(8)之间的高度方向距离的变动幅度调整到第1基准范围内。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种SiC单晶的制造方法，在该制造方法中，利用溶液生长法来制造SiC单晶，其中，该制造方法包括包括以下工序：准备工序，在该准备工序中，准备制造装置，该制造装置包括容纳有Si－C溶液的原料的坩埚、在下端安装有晶种的晶种轴、以及在中央具有供所述晶种轴穿过的通孔且能够配置于所述坩埚内的中盖；生成工序，在该生成工序中，对所述坩埚内的所述原料进行加热而生成所述Si－C溶液；生长工序，在该生长工序中，使所述晶种与所述Si－C溶液相接触，从而在所述晶种上制造所述SiC单晶；以及中盖调整工序，在所述生长工序中实施该中盖调整工序，使所述中盖和所述坩埚中的任一者相对于另一者在高度方向上相对移动，从而将所述中盖与所述Si－C溶液之间的高度方向距离的变动幅度调整到第1基准范围内。
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