[发明专利]切割片与半导体芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201580056734.4 | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107078037B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 坂本美纱季;西田卓生 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J7/29;C09J7/24;C09J7/25;C09J7/30;C09J7/50;C09J133/00;C09J175/04;C09J201/00;C09J201/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种切割片(10)，其具有基材(3)与设置于其一个面上的中间层(2)、以及设置于中间层(2)上的粘着剂层(1)，粘着剂层(1)含有分子内具有能量线固化性双键的化合物，粘着剂层(1)固化前于23℃时的存储弹性模量G’大于中间层(2)于23℃时的存储弹性模量G’，对于粘着剂层(1)固化前的切割片(10)，以JISZ0237:2000为基准相对于硅镜面晶圆进行180°撕除粘着力试验时，所测得的粘着力为2000mN/25mm以上，粘着剂层(1)固化前于23℃时的损失因数tanδ为0.23以上。通过这种切割片(10)，即使将切割片(10)粘贴于半导体晶圆(30)上所得到的层叠体，在规定的时间内静置，也很难发生部分剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种切割片，其具有基材、设置于其一个面上的中间层、设置于所述中间层上的粘着剂层，其特征在于，所述粘着剂层含有分子内具有能量线固化性双键的化合物，所述粘着剂层固化前于23℃时的存储弹性模量G’大于所述中间层于23℃时的存储弹性模量G’，对于所述粘着剂层固化前的所述切割片，以JIS Z0237:2000为基准，相对于硅镜面晶圆进行180°撕除粘着力试验时，所测量的粘着力为2000mN/25mm以上，所述粘着剂层固化前于23℃时的损失因数tanδ为0.23以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
