[发明专利]高电压零反向恢复电荷自举供应器有效

专利信息
申请号: 201580056930.1 申请日: 2015-10-09
公开(公告)号: CN107078736B 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 迈克尔·A·德·鲁伊;约翰·T·斯特赖敦;大卫·C·罗伊施 申请(专利权)人: 宜普电源转换公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 高伟;娄晓丹
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 布置在半桥接拓扑中的一种电路。该电路包括高侧晶体管;低侧晶体管;被电耦合至该高侧晶体管的栅极的栅极驱动器和准位移位器;被电耦合至该低侧晶体管的栅极的栅极驱动器;与该栅极驱动器和准位移位器并联电耦合的电容器;被电耦合至该栅极驱动器和准位移位器的输入和该栅极驱动器的输入的电压源;以及,被电耦合在该电压源和该电容之间的自举晶体管。GaN场效应晶体管与该半桥接电路的低侧装置被同步地开关。
搜索关键词: 电压 反向 恢复 电荷 供应
【主权项】:
一种布置在半桥接拓扑中的电路,包括:高侧晶体管;低侧晶体管;被电耦合至所述高侧晶体管的栅极的栅极驱动器和准位移位器;被电耦合至所述低侧晶体管的栅极的栅极驱动器;与所述栅极驱动器和准位移位器并联地电耦合的电容器;被电耦合至所述栅极驱动器和准位移位器的输入与所述栅极驱动器的输入的电压源;以及,被电耦合在所述电压源和所述电容器之间的自举装置;其中所述自举装置为晶体管。
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