[发明专利]导电性颗粒、导电性粉体、导电性高分子组合物和各向异性导电片有效

专利信息
申请号: 201580057689.4 申请日: 2015-09-29
公开(公告)号: CN107073577B 公开(公告)日: 2019-11-15
发明(设计)人: 森英人;野坂勉 申请(专利权)人: 日立金属株式会社
主分类号: B22F1/00 分类号: B22F1/00;B22F1/02;C22C19/03;H01B1/00;H01B1/22;H01B5/00;H01B5/16;B22F9/24
代理公司: 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳<国际申请>=PCT/JP2015/
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供与现有技术相比体积电阻率格外小且导电性良好、更理想为廉价的导电性颗粒、导电性粉体、导电性高分子组合物以及各向异性导电片。导电性颗粒10具有覆盖含有5~15质量%以下P的球状Ni核11的表面的第一镀层12(纯Ni镀层或含有4.0质量%以下P的Ni镀层)。导电性颗粒可以还具有覆盖第一镀层12的表面的厚度5~200nm的Au镀层。导电性粉体是含有导电性颗粒的粉体,中位粒径d50为3~100μm,并且(d90-d10)/d50≤0.8。导电性高分子组合物包含上述导电性粉体和高分子。各向异性导电片由上述导电性高分子组合物形成,其中,上述导电性颗粒沿厚度方向排列。
搜索关键词: 导电性 颗粒 高分子 组合 各向异性 导电
【主权项】:
1.一种导电性颗粒,其特征在于:/n具有含有5质量%以上且15质量%以下的P的球状Ni核和覆盖所述Ni核的表面的第一镀层,其中,所述第一镀层为纯Ni镀层,所述第一镀层的厚度为0.9μm以上且10μm以下。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立金属株式会社,未经日立金属株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580057689.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top