[发明专利]非易失性存储装置及非易失性存储装置的控制方法在审
| 申请号： | 201580057970.8 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107148651A | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 森阳太郎;北川真 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人： | 曹正建,陈桂香 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的非易失性存储装置包括存储单元，其布置在第一配线和第二配线的交叉部处，并包括可变电阻元件，可变电阻元件的电阻状态在第一电阻状态与第二电阻状态之间变化；写入电路，其将可变电阻元件从第一电阻状态改变成第二电阻状态，并由此将数据写入在存储单元上；以及电流控制器，其对在执行数据的写入时由写入电路在第一配线或第二配线中引起的流动的电流进行控制，并由此将在第一配线或第二配线中流动的电流限制成预定限制电流值。电流控制器在可变电阻元件被改变成第二电阻状态之前的时段内将预定限制电流值设定成第一限制电流值，并在可变电阻元件被改变成第二电阻状态之后将预定限制电流值从第一限制电流值改变成第二限制电流值。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储装置，其包括：存储单元，其布置在第一配线和第二配线的交叉部处，并包括可变电阻元件，所述可变电阻元件的电阻状态在第一电阻状态与第二电阻状态之间变化；写入电路，其将所述可变电阻元件从所述第一电阻状态改变成所述第二电阻状态，并由此将数据写入在所述存储单元上；以及电流控制器，其对在执行所述数据的写入时由所述写入电路在所述第一配线或所述第二配线中引起的流动的电流进行控制，并由此将在所述第一配线或所述第二配线中流动的电流限制成预定限制电流值，其中，所述电流控制器在所述可变电阻元件被改变成所述第二电阻状态之前的时段内将所述预定限制电流值设定成第一限制电流值，并在所述可变电阻元件被改变成所述第二电阻状态之后将所述预定限制电流值从所述第一限制电流值改变成第二限制电流值。
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