[发明专利]用于优化信号孔隙度的通孔结构

摘要

一种包括导电栈结构的装置，包括在Mx层上并且在第一迹线上的在第一方向上延伸的Mx层互连、在My层上的My层互连(其中My层是比Mx层低的层)、耦合在Mx层互连与My层互连之间的第一通孔栈、耦合在Mx层互连与My层互连之间的第二通孔栈、在紧邻第一迹线的一迹线上的在第一方向上延伸的第二Mx层互连、以及在紧邻第一迹线的一迹线上的在第一方向上延伸的第三Mx层互连。该Mx层互连在第二Mx层互连与第三Mx层互连之间。第二Mx层互连和第三Mx层互连彼此解耦。

主权项

一种包括导电栈结构的装置，包括：在金属x(Mx)层上并且在第一迹线上在第一方向上延伸的Mx层互连；在金属y(My)层上的My层互连，所述My层是比所述Mx层低的层；耦合在所述Mx层互连与所述My层互连之间的第一通孔栈，所述第一通孔栈包括在金属x‑1(Mx‑1)层上的第一Mx‑1层互连并且包括多个通孔，所述第一Mx‑1层互连是比所述My层互连高的层，所述第一Mx‑1层互连在第二迹线上在第二方向上延伸，所述第二方向与所述第一方向正交，所述多个通孔包括在所述第一迹线与所述第二迹线的交叠部分内连接到所述Mx层互连和所述第一Mx‑1层互连的第一通孔，所述多个通孔包括耦合在所述My层互连与所述第一Mx‑1层互连之间的第二通孔，所述第二通孔在所述第一迹线与所述第二迹线的交叠部分内；耦合在所述Mx层互连与所述My层互连之间的第二通孔栈，所述第二通孔栈包括第二Mx‑1层互连和第二多个通孔，所述第二Mx‑1层互连在第三迹线上在第二方向上延伸，所述第二多个通孔包括在所述第一迹线与所述第三迹线的交叠部分内连接到所述Mx层互连和所述第二Mx‑1层互连的第三通孔，所述第二多个通孔包括耦合在所述My层互连与所述第二Mx‑1层互连之间的第四通孔，所述第四通孔在所述第一迹线与所述第三迹线的交叠部分内；在紧邻所述第一迹线的第四迹线上在第一方向上延伸的第二Mx层互连；以及在紧邻所述第一迹线的第五迹线上在第一方向上延伸的第三Mx层互连，所述Mx层互连在所述第二Mx层互连与所述第三Mx层互连之间，所述第二Mx层互连和所述第三Mx层互连彼此解耦。