[发明专利]功率半导体接触结构及其生产方法有效
| 申请号： | 201580059031.7 | 申请日： | 2015-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107112303B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 马汀·贝克尔;罗纳德·艾西尔;弗兰克·奥斯特瓦尔德;加赛克·鲁茨基 | 申请（专利权）人： | 丹佛斯硅动力有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨飞 |
| 地址： | 德国弗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种用于功率半导体模块的功率半导体接触结构，该功率半导体接触结构具有至少一个衬底(1)以及作为电极的金属模制本体(2)，该衬底和金属模制本体通过基本上无中断的烧结层(3a)而一者烧结在另一者顶上，该烧结层具有多个具有变化的厚度的区域。该金属模制本体(2)在此采取挠性接触膜(5)的形式，该挠性接触膜的厚度使得此接触膜通过其面向该烧结层(3a)的这侧(4)基本上覆盖整个表面积地烧结到该烧结层的这些具有变化的厚度的区域上。还描述了一种用于在功率半导体模块中形成具有衬底和金属模制本体的功率半导体接触结构的方法。形成该功率半导体接触结构是如下进行的：首先向金属模制本体(2)或该衬底施加具有局部变化的厚度的烧结材料层，然后通过使用该烧结材料层的连接导通特性将接触膜(5)与衬底(1)烧结在一起，接触膜(5)被制成为发展其区别性形式以便应对烧结材料层(3a)的变化的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 接触 结构 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于功率半导体模块的功率半导体接触结构，该功率半导体接触结构具有至少一个衬底(1)和作为电极的金属模制本体(2)，该衬底和金属模制本体通过基本上无中断的烧结层(3a)而一者烧结在另一者顶上，该烧结层具有多个具有变化的厚度的区域，该金属模制本体(2)采取挠性接触膜(5)的形式，该挠性接触膜具有的厚度使得此接触膜通过其面向该烧结层(3)的这侧(4)基本上覆盖整个表面积地烧结到该烧结层的这些具有变化的厚度的区域上；所述烧结层(3a)具有多个具有变化的厚度的区域，使得在处于挠性接触膜的形式的金属模制本体中产生局部交替的隆起和凹陷，由此形成波浪状表面。
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