[发明专利]具有作为沟道区域的锗层的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201580059170.X | 申请日： | 2015-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN107112238B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 鸟海明;李忠贤;西村知纪 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体器件，包括：沟道区域50，形成在锗层30中并具有第一导电类型；以及源极区域36和漏极区域38，形成在锗层中并具有不同于第一导电类型的第二导电类型，其中沟道区域中的氧浓度小于结界面52中的氧浓度，所述结界面在源极区域和漏极区域的至少一个与围绕源极区域和漏极区域的至少一个并具有第一导电类型的区域之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 作为 沟道 区域 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于包括：沟道区域，形成在锗层中并具有第一导电类型；以及源极区域和漏极区域，形成在锗层中并且具有不同于第一导电类型的第二导电类型，其中沟道区域中的氧浓度小于结界面中的氧浓度，所述结界面在源极区域和漏极区域中的至少一个区域与围绕源极区域和漏极区域中的所述至少一个区域并具有第一导电类型的区域之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
