[发明专利]使用漏-源电压的高电流感测方案有效
| 申请号： | 201580059509.6 | 申请日： | 2015-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN107076786B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | C·张;Z·傅;N·陈 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/25 | 分类号： | G01R19/25;G01R19/32 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 袁逸;陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施例中，本文中描述了一种用于测量电流的方法。该方法包括短路放大电路的第一和第二输入以生成第一输出信号，并将该第一输出信号转换成偏移消去值。该方法还包括将电流传递通过电源开关，其中该电流生成了跨该电源开关的电压降，跨该放大电路的第一和第二输入施加该电压降以生成第二输出信号，以及将该第二输出信号转换成电流值。该方法进一步包括从该电流值减去该偏移消去值以生成经偏移补偿的电流值。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 电压 流感 方案 | ||
【主权项】：
1.一种用于测量电流的方法，包括：/n在偏移校准模式期间利用用偏移控制器来控制的开关来将放大电路的第一和第二输入短路以生成第一输出信号；/n将该第一输出信号转换成偏移消去值；/n在电流测量模式期间将电流传递通过包括一个或多个金属氧化物半导体晶体管的电源开关，其中所述电流生成跨所述电源开关的电压降，所述电压降包括所述一个或多个金属氧化物半导体晶体管的源极到漏极电压；/n跨所述放大电路的第一和第二输入施加所述电压降以生成第二输出信号，其中所述第一输入耦合至所述一个或多个金属氧化物半导体晶体管中的至少一个金属氧化物半导体晶体管的源极并且所述第二输入耦合至所述一个或多个金属氧化物半导体晶体管中的至少一个金属氧化物半导体晶体管的漏极；/n将所述第二输出信号转换成电流值；以及/n从所述电流值减去所述偏移消去值以生成经偏移补偿的电流值。/n
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