[发明专利]半导体器件及其制造方法、半导体模块和电子器件在审
申请号: | 201580059879.X | 申请日: | 2015-10-29 |
公开(公告)号: | CN107148672A | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 田仲清久 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146;H04N1/028 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 余刚,吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的是提供一种能够更可靠地改善光学特性并减轻其中的色差的半导体器件及用于制造半导体器件的方法,半导体模块和电子器件。提供一种半导体封装,包括柱状基座,所述柱状基座具有朝向光入射侧的凹面;以及线性图像传感器,该线性图像传感器包括一维布置的具有光电转换元件的多个像素,并且确保所述凹面使得由多个像素构成的光接收区具有朝向光入射侧的凹面。本发明可被应用于,例如,用于图像扫描仪的半导体封装。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 半导体 模块 电子器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:具有柱状形状的基座,所述基座包括曲面,所述曲面被弯曲从而向光入射侧凹入;以及线性图像传感器,在所述线性图像传感器上,每一个都包括光电转换元件的多个像素在一维方向上布置,所述线性图像传感器被固定在所述曲面上,其中在所述曲面上由所述多个像素形成的光接收区域被弯曲从而向所述光入射侧凹入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的